应届毕业生
学历不限
2025-07-08 12:49:38
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职位描述
该职位还未进行加V认证，请仔细了解后再进行投递！
核心职责：
- 主导MOSFET/IGBT器件的 Design Rule检查、Layout设计 及 产品手册编制；
- 设计 NPI/DOE实验方案，完成晶圆级良率优化（目标：单批次良率提升≥2%）；
- 负责量产异常分析（EFA/PFA）及 低良率根因追溯（需输出8D报告）；
- 解决 inline缺陷问题（如光刻对准偏差、金属层短路），协同设备/工艺团队改进；
- 维护产品全生命周期良率（当前6英寸线良率98.5%，目标2025年12英寸线≥99%）。
- 本科及以上学历，微电子/电子专业， 熟悉半导体物理及分立器件工艺；
- 2年以上 半导体工艺整合经验，有MOSFET/IGBT量产项目者优先（需提供良率提升案例）；
- CET-4及以上，能熟练阅读ASML/Tel设备手册及撰写英文技术文档；
- 具备 跨部门协作能力（需协调设计、设备、生产三方资源）。
- 掌握TCAD仿真（Sentaurus）或熟悉 SiC器件工艺；
- 有车规级产品认证（IATF 16949）经验；
- 熟悉6σ方法论（通过绿带认证优先）。
- 国有资本控股（重庆产业投资集团51%持股），享受政策补贴（12英寸产线设备补贴30%）；
- 聚焦 功率半导体国产替代（比亚迪核心供应商），12英寸SiC产线2025年量产；
- 职业发展双通道：技术专家（年薪50万 ）或管理序列（PIE经理年薪35万 ）。
注：联系我时，请说是在双流人才网上看到的。
工作地点
地址：重庆北碚区北碚区重庆万国半导体科技有限公司-西门
求职提示：用人单位发布虚假招聘信息，或以任何名义向求职者收取财物（如体检费、置装费、押金、服装费、培训费、身份证、毕业证等），均涉嫌违法，请求职者务必提高警惕。
职位发布者
方女士HR
四川百益人力资源管理有限公司
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专业服务
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51-99人
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私营·民营企业
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武侯大道顺江段77号
